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姓名:黄风义

职称:教授

电话:025-83790830

办公室:南京市江宁区9号无线谷9417

个人主页:

邮箱:101010315@seu.edu.cn

教育背景

1982-1986年北京大学物理系,学士学位

1986-1988年复旦大学物理系,半导体物理专业,硕士学位

1991-1994年美国依利诺伊大学香槟分校(简称UIUC),获博士学位

学术兼职

“国家宽带无线接入网工程技术研究中心”工程技术委员会委员

研究领域

半导体器件模型研究

高速芯片系统安全研究

射频/微波集成电路研究

研究概况

器件模型:自主创新高精度射频器件模型技术(电感、晶体管),发表在国际微电子以及集成电路领域权威期刊(IEEE JSSC, EDL等)。

硅基集成电路:宽带、超高速、毫米波/太赫兹等多款射频芯片,部分指标国际领先。

微波单片集成电路:参与开发了接近国际一流水平的高频功率放大器,已经实现产业化。


最近动态

研究课题

国家重点研发计划:

高宽带超高速数据率及宽带可重构射频系统集成芯片(RF SoC)技术研究 (2018-2021

国家科技重大专项:

面向IMT-A等宽带无线通信系统的射频芯片、器件与模块研发 (2009-2012

TD-LTE-Advanced终端射频芯片工程样片研发 (2012-2016

国家自然基金:

基于固态电子的太赫兹(THz)电脉冲辐射的研究与实现 (2015-2018

基于特征函数法的纳米超高速晶体管毫米波建模研究 (2018-2020

纳米CMOS工艺高速数模混合锁相环频率合成器非理想特性模型研究 (2008-2010

科技部863计划:

宽带无线通信射频前端SOC芯片设计与实现 (2009-2012

奖励与荣誉

2009年江苏省“科技进步三等奖”,国务院政府特殊津贴;

2007年江苏省“333高层次人才培养工程”中青年科学技术带头人;

2006年江苏省六大人才高峰行动计划资助人选

1999IBM微电子部总经理杰出贡献奖

1989年英国“海外留学生研究奖”

1988年“李政道物理学奖”

课程信息

学术成果

在国际一流期刊上发表论文50多篇,被SCI收录50多篇,被SCI他引超过500篇次。获中国发明专利十余项,美国发明专利9项。

部分发表论文:

[1] F. Y. Huang, et al. , “An improved small-signal equivalent circuit for GaN high electron mobility transistors,” IEEE Electron Device Letters.2016, Volume: 37, Pages: 1399 - 1402.

[2]F.Y. Huang, et al., and Yangyuan Wang, Frequecy-independent asymmetric double-π equivalent circuit for silicon on-chip spiral inductors, physics-based modeling and parameter extraction, IEEE Journel of Solid-State Circuit, vol. 41, No.10, pp.2272-2283, Oct. 2006.

[3]F. Y. Huang, J.X. Lu, Y.F. Zhu, N. Jiang, X.C. Wang, and Y.S. Chi, Effect of substrate parasitic effect on silicon-based transmission lines and on-chip inductors, IEEE Electron Dev Lett, vol.28, No.11, pp.1025-1028 Nov.2007.

[4] J.X. Lu, Fengyi Huang, and Y.S. Chi, “An Analytical Approach to Parameter Extraction for On-Chip Spiral Inductors With Double-pi Equivalent Circuit,” IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC), San Francisco, USA, pp. 221-224, Jun. 2006.

[5]F.Y. Huang, Jingxue Lu, and Nan Jiang, “Scalable Distributed-capacitance Model for Silicon on-chip Spiral Inductors”, Microwave and Optical Technology Letters, Vol. 48, NO.7, pp.1423-1427,July 2006.

[6]F. Y. Huang, J.X. Lu, D.M. Jiang, and N. Jiang , “A Novel Analytical Approach to Parameter Extraction for on-chip Spiral Inductors Taking into account High-order Parasitic Effect,” Solid-State Electronics, 50, pp.1557-1562, 2006.

[7]F. Y. Huang, N. Jiang, and E.L. Bian, “Characteristic-function approach to parameter extraction for asymmetric equivalent circuit of on-chip spiral inductors,” IEEE Trans. MTT, vol. 54, pp.115-119, Jan. 2006. 

其他